HID Global heeft een nieuwe IN Tag 300 8KB RFID-transponder ontwikkeld voor toepassingen die een groot geheugen vereisen. De IN Tag 300 8KB maakt gebruik van de Ferroelectric Random Access Memory (FRAM) technologie van Fujitsu Semiconductor. Deze versnelt toegang tot data tot bijna de maximale High Frequency (HF) snelheid, terwijl de transponder miljarden lees- en schrijfcycli kan doorstaan.
De transponder doorstaat tevens gammastraling tot 50 KGray voor toepassing tijdens onder meer medische sterilisatieprocessen. “De nieuwe IN Tag 300 8KB levert het maximale aan snelheid en geheugenruimte voor toepassing in overeenstemming met het ISO/IEC 15693-protocol”, aldus Richard Aufreiter, Director of Product Management, Identification Technologies bij HID Global. “Samen met de bestendigheid tegen straling is de nieuwe tag ideaal voor veeleisende automatiserings-, medische- of nucleaire toepassingen.”
De FRAM technologie garandeert tot meer dan 33.000 keer snellere schrijfcycli in tegenstelling tot conventionele EEPROM-geheugens. De IN Tag-transponder biedt hierdoor veel snellere toegang dan op EEPROM gebaseerde tags. De FRAM-technologie maakt ook ongeveer een miljoen keer meer schrijfcycli mogelijk dan EEPROM, waardoor het geschikt is voor toepassingen met snel bewegende voorwerpen met veelvuldige lees- en schrijf transacties.
De IN Tag-behuizingen beschermen de ingebouwde chips tegen blootstelling aan hoge temperaturen (tot 140 graden Celsius) en hoge luchtdruk en de FRAM-configuratie beschermt opgeslagen data tegen bestraling die de inhoud van andere chips zou wissen. De transponders kunnen onder meer worden ingezet in ruimtes waar gammastraling en röntgenstraling voorkomen en met chemische stoffen wordt gewerkt en zijn waterdicht en schokbestendig.